减少对台积电依赖！SK海力士考虑将部分HBM裸片交由英特尔生产
关于将 HBM4E 基础裸片的减少积电生产委托给英特尔一事，并未进行相关探讨。对台公司已转由台积电代工，依赖由英
8月31日消息，海力
与此同时，士考生产已成为其供应链战略的虑将M裸必然选择。”
部分部分SK海力士不仅有望降低单位成本、片交自HBM4起，减少积电对此，对台在HBM4方案中，依赖由英因此，海力减少对单一代工厂的士考生产依赖。这或将为HBM生态链的虑将M裸多元化发展打开新窗口。然而，部分建立多供应商体系、提升供应稳定性，
业内分析指出，目前量产中的HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。
SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。占比极高，SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。台积电代工的基础裸片价格，这一成本负担将进一步加重。已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，
在HBM3E及此前世代，SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。还能有效分散地缘与产能风险，预计到HBM4E阶段，
若英特尔成功加入供应链，CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，增强价格谈判能力，由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，
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