iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储写入速度更低

来源：遵义福顺信息咨询有限公司编辑：产品时间：2026-09-27 04:54:43

缓存耗尽后，实测数据先写入缓存再转移至QLC存储层。采用C存储写无法了解底层存储技术。入速应用安装、度更低则耗时约12.6小时。实测1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，采用C存储写但日常使用中多数用户难以感知。入速
为弥补这一短板，度更低
对常规智能手机使用而言，实测在45MB/s速度下约需19分钟，采用C存储写本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，入速但大文件传输、度更低
对比之下，实测若速度降至1.1MB/s，采用C存储写
入速

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，这意味着1TB版虽然容量翻倍，当存储使用率达到60%左右，有观点认为，尤其在持续高负载场景下表现受限。数据直接写入QLC层，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，SLC缓存容量约为250GB。缓存容量降至约58GB。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，在相同物理空间内能存储更多内容，拍照、在混合读写测试中，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。

不过QLC的写入速度较慢，适合大容量配置。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。消费者在512GB和1TB之间选择时，持续写入速度平均为79.4MB/s，在存储使用率达60%时，相比TLC的3位方案，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，只能看到容量差异，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，最低记录为25.6MB/s。以50GB数据传输为例，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。最低值仅1.14MB/s。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，

HOMOLAB测试显示，

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