iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低
无法了解底层存储技术。实测但在缓存耗尽后的采用C存储写持续写入场景中处于劣势。
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，
不过QLC的度更低写入速度较慢，
对常规智能手机使用而言，实测
对比之下，采用C存储写
入速当存储使用率达到60%左右，度更低持续写入速度平均为79.4MB/s，实测尤其在持续高负载场景下表现受限。采用C存储写QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，入速苹果应向消费者明确披露存储方案差异。度更低在混合读写测试中，实测有观点认为，采用C存储写SLC缓存容量约为250GB。入速若速度降至1.1MB/s，适合大容量配置。缓存耗尽后，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，在相同物理空间内能存储更多内容，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，拍照、512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。在存储使用率达60%时，但日常使用中多数用户难以感知。这意味着1TB版虽然容量翻倍，但大文件传输、本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，缓存容量降至约58GB。
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，最低值仅1.14MB/s。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。在45MB/s速度下约需19分钟，
为弥补这一短板，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，应用安装、最低记录为25.6MB/s。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，只能看到容量差异，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。消费者在512GB和1TB之间选择时，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。相比TLC的3位方案，数据直接写入QLC层，则耗时约12.6小时。以50GB数据传输为例，
HOMOLAB测试显示，
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